 |
Zoom Esteroscópico Leica |
 |
Resolución desde 1micra hasta varios cm |
 |
- |
 |
Observación de dispositivos |
 |
Zoom Esteroscópico Leica |
 |
Resolución desde 1micra hasta varios cm |
 |
- |
 |
Observación de dispositivos |
 |
Scriber con punta de diamante |
 |
desde 1cm hasta 4 pulgadas |
 |
- |
 |
Corte de Obleas de Si y otros materiales |
 |
Scriber con punta de diamante |
 |
desde 1cm hasta 4 pulgadas |
 |
- |
 |
Corte de Obleas de Si y otros materiales |
 |
Sierra de Disco de Diamante |
 |
Desde 1cm hasta 5cm |
 |
- |
 |
Corte de Objetos |
 |
Sierra de Disco de Diamante |
 |
Desde 1cm hasta 5cm |
 |
- |
 |
Corte de Objetos |
 |
Encapsulador Ball-Wedge-Bump Bonder |
 |
Hilo de Au de 25 micras |
 |
- |
 |
Encapsulado de dispositivos |
 |
Encapsulador Ball-Wedge-Bump Bonder |
 |
Hilo de Au de 25 micras |
 |
- |
 |
Encapsulado de dispositivos |
 |
Estación de 4 puntas y analizador de parámetros |
 |
1pA hasta 5A, 1microV hasta 200V |
 |
- |
 |
Análisis de propiedades eléctricas de dispositivos y prototipos |
 |
Estación de 4 puntas y analizador de parámetros |
 |
1pA hasta 5A, 1microV hasta 200V |
 |
- |
 |
Análisis de propiedades eléctricas de dispositivos y prototipos |
 |
Perfilómetro mecánico de estilete |
 |
1nm hasta 1mm |
 |
- |
 |
Estudio de Perfiles tipo escalón o pico-valle mediante perfilometría mecánica |
 |
Perfilómetro mecánico de estilete |
 |
1nm hasta 1mm |
 |
- |
 |
Estudio de Perfiles tipo escalón o pico-valle mediante perfilometría mecánica |
 |
Microscopio Optico con cámara digital Leica 750DM |
 |
x5, x10, x20, x50, campo claro, reflexión y transmisión |
 |
- |
 |
Observación de materiales y dispositivos |
 |
Microscopio Optico con cámara digital Leica 750DM |
 |
x5, x10, x20, x50, campo claro, reflexión y transmisión |
 |
- |
 |
Observación de materiales y dispositivos |
 |
Rapid Thermal Processor (RTP) de atmósfera controlada |
 |
Hasta 1000ºC |
 |
- |
 |
Processos de recocido, vitrificación y oxidación de muestras/materiales |
 |
Rapid Thermal Processor (RTP) de atmósfera controlada |
 |
Hasta 1000ºC |
 |
- |
 |
Processos de recocido, vitrificación y oxidación de muestras/materiales |
 |
Bancada de Química Humeda para Solventes/Bases |
 |
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Solventes/Bases |
 |
Bancada de Química Humeda para Solventes/Bases |
 |
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Solventes/Bases |
 |
Bancada de Química Humeda para Acidos |
 |
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
 |
Bancada de Química Humeda para Acidos |
 |
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
 |
Bancada de Química Humeda para Litografía |
 |
IWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
 |
Bancada de Química Humeda para Litografía |
 |
IWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
 |
Reactive Ion Etcher para Metales y otros materiales (RIE) |
 |
CF4, Ar, O2, N2, CHF3, H2 |
 |
- |
 |
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
 |
Reactive Ion Etcher para Metales y otros materiales (RIE) |
 |
CF4, Ar, O2, N2, CHF3, H2 |
 |
- |
 |
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
 |
Inductively Couple Plasma Reactive Ion Etcher CRYO para Si, SiOx |
 |
Sf6, CF4, O2, N2, CHF3, H2, He, Ar, |
 |
- |
 |
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
 |
Inductively Couple Plasma Reactive Ion Etcher CRYO para Si, SiOx |
 |
Sf6, CF4, O2, N2, CHF3, H2, He, Ar, |
 |
- |
 |
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
 |
Plasma |
 |
O2, N2, CF4 |
 |
- |
 |
Limpieza de superficies |
 |
Plasma |
 |
O2, N2, CF4 |
 |
- |
 |
Limpieza de superficies |
 |
SEM |
 |
desde 1nm hasta 1mm |
 |
- |
 |
Microscopía electrónica |
 |
SEM |
 |
desde 1nm hasta 1mm |
 |
- |
 |
Microscopía electrónica |
 |
Litografía por haces de iones focalizados FIB |
 |
1nm hasta 100micras |
 |
- |
 |
Litografía por haces de iones focalizados Si, SiOx, metales |
 |
Litografía por haces de iones focalizados FIB |
 |
1nm hasta 100micras |
 |
- |
 |
Litografía por haces de iones focalizados Si, SiOx, metales |
 |
Litografía e-BEAM |
 |
10nm hasta 1 micra |
 |
- |
 |
Litografía electrónica |
 |
Litografía e-BEAM |
 |
10nm hasta 1 micra |
 |
- |
 |
Litografía electrónica |
 |
Litgrafía Nanoimprint |
 |
10nm hasta 100micras |
 |
- |
 |
Litografía por estampación térmica |
 |
Litgrafía Nanoimprint |
 |
10nm hasta 100micras |
 |
- |
 |
Litografía por estampación térmica |
 |
Atomic Layer Deposition (ALD) |
 |
Desde 1A hasta 100nm |
 |
- |
 |
Preparación de películas delgadas de múltiples materiales. |
 |
Atomic Layer Deposition (ALD) |
 |
Desde 1A hasta 100nm |
 |
- |
 |
Preparación de películas delgadas de múltiples materiales. |
 |
Evaporador de Metales |
 |
Au, Cr, Ni, Al, Pt, Cr, Pd, Co, |
 |
- |
 |
Preparación de películas de hasta 100nm de espesor |
 |
Evaporador de Metales |
 |
Au, Cr, Ni, Al, Pt, Cr, Pd, Co, |
 |
- |
 |
Preparación de películas de hasta 100nm de espesor |
 |
Zoom Esteroscópico Leica |
 |
Resolución desde 1micra hasta varios cm |
 |
- |
 |
Observación de dispositivos |
 |
Zoom Esteroscópico Leica |
 |
Resolución desde 1micra hasta varios cm |
 |
- |
 |
Observación de dispositivos |
 |
Scriber con punta de diamante |
 |
desde 1cm hasta 4 pulgadas |
 |
- |
 |
Corte de Obleas de Si y otros materiales |
 |
Scriber con punta de diamante |
 |
desde 1cm hasta 4 pulgadas |
 |
- |
 |
Corte de Obleas de Si y otros materiales |
 |
Sierra de Disco de Diamante |
 |
Desde 1cm hasta 5cm |
 |
- |
 |
Corte de Objetos |
 |
Sierra de Disco de Diamante |
 |
Desde 1cm hasta 5cm |
 |
- |
 |
Corte de Objetos |
 |
Encapsulador Ball-Wedge-Bump Bonder |
 |
Hilo de Au de 25 micras |
 |
- |
 |
Encapsulado de dispositivos |
 |
Encapsulador Ball-Wedge-Bump Bonder |
 |
Hilo de Au de 25 micras |
 |
- |
 |
Encapsulado de dispositivos |
 |
Estación de 4 puntas y analizador de parámetros |
 |
1pA hasta 5A, 1microV hasta 200V |
 |
- |
 |
Análisis de propiedades eléctricas de dispositivos y prototipos |
 |
Estación de 4 puntas y analizador de parámetros |
 |
1pA hasta 5A, 1microV hasta 200V |
 |
- |
 |
Análisis de propiedades eléctricas de dispositivos y prototipos |
 |
Perfilómetro mecánico de estilete |
 |
1nm hasta 1mm |
 |
- |
 |
Estudio de Perfiles tipo escalón o pico-valle mediante perfilometría mecánica |
 |
Perfilómetro mecánico de estilete |
 |
1nm hasta 1mm |
 |
- |
 |
Estudio de Perfiles tipo escalón o pico-valle mediante perfilometría mecánica |
 |
Microscopio Optico con cámara digital Leica 750DM |
 |
x5, x10, x20, x50, campo claro, reflexión y transmisión |
 |
- |
 |
Observación de materiales y dispositivos |
 |
Microscopio Optico con cámara digital Leica 750DM |
 |
x5, x10, x20, x50, campo claro, reflexión y transmisión |
 |
- |
 |
Observación de materiales y dispositivos |
 |
Rapid Thermal Processor (RTP) de atmósfera controlada |
 |
Hasta 1000ºC |
 |
- |
 |
Processos de recocido, vitrificación y oxidación de muestras/materiales |
 |
Rapid Thermal Processor (RTP) de atmósfera controlada |
 |
Hasta 1000ºC |
 |
- |
 |
Processos de recocido, vitrificación y oxidación de muestras/materiales |
 |
Bancada de Química Humeda para Solventes/Bases |
 |
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Solventes/Bases |
 |
Bancada de Química Humeda para Solventes/Bases |
 |
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Solventes/Bases |
 |
Bancada de Química Humeda para Acidos |
 |
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
 |
Bancada de Química Humeda para Acidos |
 |
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
 |
Bancada de Química Humeda para Litografía |
 |
IWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
 |
Bancada de Química Humeda para Litografía |
 |
IWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
 |
- |
 |
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
 |
Reactive Ion Etcher para Metales y otros materiales (RIE) |
 |
CF4, Ar, O2, N2, CHF3, H2 |
 |
- |
 |
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
 |
Reactive Ion Etcher para Metales y otros materiales (RIE) |
 |
CF4, Ar, O2, N2, CHF3, H2 |
 |
- |
 |
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
 |
Inductively Couple Plasma Reactive Ion Etcher CRYO para Si, SiOx |
 |
Sf6, CF4, O2, N2, CHF3, H2, He, Ar, |
 |
- |
 |
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
 |
Inductively Couple Plasma Reactive Ion Etcher CRYO para Si, SiOx |
 |
Sf6, CF4, O2, N2, CHF3, H2, He, Ar, |
 |
- |
 |
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
 |
Plasma |
 |
O2, N2, CF4 |
 |
- |
 |
Limpieza de superficies |
 |
Plasma |
 |
O2, N2, CF4 |
 |
- |
 |
Limpieza de superficies |
 |
SEM |
 |
desde 1nm hasta 1mm |
 |
- |
 |
Microscopía electrónica |
 |
SEM |
 |
desde 1nm hasta 1mm |
 |
- |
 |
Microscopía electrónica |
 |
Litografía por haces de iones focalizados FIB |
 |
1nm hasta 100micras |
 |
- |
 |
Litografía por haces de iones focalizados Si, SiOx, metales |
 |
Litografía por haces de iones focalizados FIB |
 |
1nm hasta 100micras |
 |
- |
 |
Litografía por haces de iones focalizados Si, SiOx, metales |
 |
Litografía e-BEAM |
 |
10nm hasta 1 micra |
 |
- |
 |
Litografía electrónica |
 |
Litografía e-BEAM |
 |
10nm hasta 1 micra |
 |
- |
 |
Litografía electrónica |
 |
Litgrafía Nanoimprint |
 |
10nm hasta 100micras |
 |
- |
 |
Litografía por estampación térmica |
 |
Litgrafía Nanoimprint |
 |
10nm hasta 100micras |
 |
- |
 |
Litografía por estampación térmica |
 |
Atomic Layer Deposition (ALD) |
 |
Desde 1A hasta 100nm |
 |
- |
 |
Preparación de películas delgadas de múltiples materiales. |
 |
Atomic Layer Deposition (ALD) |
 |
Desde 1A hasta 100nm |
 |
- |
 |
Preparación de películas delgadas de múltiples materiales. |
 |
Evaporador de Metales |
 |
Au, Cr, Ni, Al, Pt, Cr, Pd, Co, |
 |
- |
 |
Preparación de películas de hasta 100nm de espesor |
 |
Evaporador de Metales |
 |
Au, Cr, Ni, Al, Pt, Cr, Pd, Co, |
 |
- |
 |
Preparación de películas de hasta 100nm de espesor |