|
Zoom Esteroscópico Leica |
|
Resolución desde 1micra hasta varios cm |
|
- |
|
Observación de dispositivos |
|
Zoom Esteroscópico Leica |
|
Resolución desde 1micra hasta varios cm |
|
- |
|
Observación de dispositivos |
|
Scriber con punta de diamante |
|
desde 1cm hasta 4 pulgadas |
|
- |
|
Corte de Obleas de Si y otros materiales |
|
Scriber con punta de diamante |
|
desde 1cm hasta 4 pulgadas |
|
- |
|
Corte de Obleas de Si y otros materiales |
|
Sierra de Disco de Diamante |
|
Desde 1cm hasta 5cm |
|
- |
|
Corte de Objetos |
|
Sierra de Disco de Diamante |
|
Desde 1cm hasta 5cm |
|
- |
|
Corte de Objetos |
|
Encapsulador Ball-Wedge-Bump Bonder |
|
Hilo de Au de 25 micras |
|
- |
|
Encapsulado de dispositivos |
|
Encapsulador Ball-Wedge-Bump Bonder |
|
Hilo de Au de 25 micras |
|
- |
|
Encapsulado de dispositivos |
|
Estación de 4 puntas y analizador de parámetros |
|
1pA hasta 5A, 1microV hasta 200V |
|
- |
|
Análisis de propiedades eléctricas de dispositivos y prototipos |
|
Estación de 4 puntas y analizador de parámetros |
|
1pA hasta 5A, 1microV hasta 200V |
|
- |
|
Análisis de propiedades eléctricas de dispositivos y prototipos |
|
Perfilómetro mecánico de estilete |
|
1nm hasta 1mm |
|
- |
|
Estudio de Perfiles tipo escalón o pico-valle mediante perfilometría mecánica |
|
Perfilómetro mecánico de estilete |
|
1nm hasta 1mm |
|
- |
|
Estudio de Perfiles tipo escalón o pico-valle mediante perfilometría mecánica |
|
Microscopio Optico con cámara digital Leica 750DM |
|
x5, x10, x20, x50, campo claro, reflexión y transmisión |
|
- |
|
Observación de materiales y dispositivos |
|
Microscopio Optico con cámara digital Leica 750DM |
|
x5, x10, x20, x50, campo claro, reflexión y transmisión |
|
- |
|
Observación de materiales y dispositivos |
|
Rapid Thermal Processor (RTP) de atmósfera controlada |
|
Hasta 1000ºC |
|
- |
|
Processos de recocido, vitrificación y oxidación de muestras/materiales |
|
Rapid Thermal Processor (RTP) de atmósfera controlada |
|
Hasta 1000ºC |
|
- |
|
Processos de recocido, vitrificación y oxidación de muestras/materiales |
|
Bancada de Química Humeda para Solventes/Bases |
|
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Solventes/Bases |
|
Bancada de Química Humeda para Solventes/Bases |
|
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Solventes/Bases |
|
Bancada de Química Humeda para Acidos |
|
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
|
Bancada de Química Humeda para Acidos |
|
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
|
Bancada de Química Humeda para Litografía |
|
IWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
|
Bancada de Química Humeda para Litografía |
|
IWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
|
Reactive Ion Etcher para Metales y otros materiales (RIE) |
|
CF4, Ar, O2, N2, CHF3, H2 |
|
- |
|
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
|
Reactive Ion Etcher para Metales y otros materiales (RIE) |
|
CF4, Ar, O2, N2, CHF3, H2 |
|
- |
|
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
|
Inductively Couple Plasma Reactive Ion Etcher CRYO para Si, SiOx |
|
Sf6, CF4, O2, N2, CHF3, H2, He, Ar, |
|
- |
|
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
|
Inductively Couple Plasma Reactive Ion Etcher CRYO para Si, SiOx |
|
Sf6, CF4, O2, N2, CHF3, H2, He, Ar, |
|
- |
|
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
|
Plasma |
|
O2, N2, CF4 |
|
- |
|
Limpieza de superficies |
|
Plasma |
|
O2, N2, CF4 |
|
- |
|
Limpieza de superficies |
|
SEM |
|
desde 1nm hasta 1mm |
|
- |
|
Microscopía electrónica |
|
SEM |
|
desde 1nm hasta 1mm |
|
- |
|
Microscopía electrónica |
|
Litografía por haces de iones focalizados FIB |
|
1nm hasta 100micras |
|
- |
|
Litografía por haces de iones focalizados Si, SiOx, metales |
|
Litografía por haces de iones focalizados FIB |
|
1nm hasta 100micras |
|
- |
|
Litografía por haces de iones focalizados Si, SiOx, metales |
|
Litografía e-BEAM |
|
10nm hasta 1 micra |
|
- |
|
Litografía electrónica |
|
Litografía e-BEAM |
|
10nm hasta 1 micra |
|
- |
|
Litografía electrónica |
|
Litgrafía Nanoimprint |
|
10nm hasta 100micras |
|
- |
|
Litografía por estampación térmica |
|
Litgrafía Nanoimprint |
|
10nm hasta 100micras |
|
- |
|
Litografía por estampación térmica |
|
Atomic Layer Deposition (ALD) |
|
Desde 1A hasta 100nm |
|
- |
|
Preparación de películas delgadas de múltiples materiales. |
|
Atomic Layer Deposition (ALD) |
|
Desde 1A hasta 100nm |
|
- |
|
Preparación de películas delgadas de múltiples materiales. |
|
Evaporador de Metales |
|
Au, Cr, Ni, Al, Pt, Cr, Pd, Co, |
|
- |
|
Preparación de películas de hasta 100nm de espesor |
|
Evaporador de Metales |
|
Au, Cr, Ni, Al, Pt, Cr, Pd, Co, |
|
- |
|
Preparación de películas de hasta 100nm de espesor |
|
Zoom Esteroscópico Leica |
|
Resolución desde 1micra hasta varios cm |
|
- |
|
Observación de dispositivos |
|
Zoom Esteroscópico Leica |
|
Resolución desde 1micra hasta varios cm |
|
- |
|
Observación de dispositivos |
|
Scriber con punta de diamante |
|
desde 1cm hasta 4 pulgadas |
|
- |
|
Corte de Obleas de Si y otros materiales |
|
Scriber con punta de diamante |
|
desde 1cm hasta 4 pulgadas |
|
- |
|
Corte de Obleas de Si y otros materiales |
|
Sierra de Disco de Diamante |
|
Desde 1cm hasta 5cm |
|
- |
|
Corte de Objetos |
|
Sierra de Disco de Diamante |
|
Desde 1cm hasta 5cm |
|
- |
|
Corte de Objetos |
|
Encapsulador Ball-Wedge-Bump Bonder |
|
Hilo de Au de 25 micras |
|
- |
|
Encapsulado de dispositivos |
|
Encapsulador Ball-Wedge-Bump Bonder |
|
Hilo de Au de 25 micras |
|
- |
|
Encapsulado de dispositivos |
|
Estación de 4 puntas y analizador de parámetros |
|
1pA hasta 5A, 1microV hasta 200V |
|
- |
|
Análisis de propiedades eléctricas de dispositivos y prototipos |
|
Estación de 4 puntas y analizador de parámetros |
|
1pA hasta 5A, 1microV hasta 200V |
|
- |
|
Análisis de propiedades eléctricas de dispositivos y prototipos |
|
Perfilómetro mecánico de estilete |
|
1nm hasta 1mm |
|
- |
|
Estudio de Perfiles tipo escalón o pico-valle mediante perfilometría mecánica |
|
Perfilómetro mecánico de estilete |
|
1nm hasta 1mm |
|
- |
|
Estudio de Perfiles tipo escalón o pico-valle mediante perfilometría mecánica |
|
Microscopio Optico con cámara digital Leica 750DM |
|
x5, x10, x20, x50, campo claro, reflexión y transmisión |
|
- |
|
Observación de materiales y dispositivos |
|
Microscopio Optico con cámara digital Leica 750DM |
|
x5, x10, x20, x50, campo claro, reflexión y transmisión |
|
- |
|
Observación de materiales y dispositivos |
|
Rapid Thermal Processor (RTP) de atmósfera controlada |
|
Hasta 1000ºC |
|
- |
|
Processos de recocido, vitrificación y oxidación de muestras/materiales |
|
Rapid Thermal Processor (RTP) de atmósfera controlada |
|
Hasta 1000ºC |
|
- |
|
Processos de recocido, vitrificación y oxidación de muestras/materiales |
|
Bancada de Química Humeda para Solventes/Bases |
|
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Solventes/Bases |
|
Bancada de Química Humeda para Solventes/Bases |
|
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Solventes/Bases |
|
Bancada de Química Humeda para Acidos |
|
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
|
Bancada de Química Humeda para Acidos |
|
Ultrasonidos, Megasonidos, DIWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
|
Bancada de Química Humeda para Litografía |
|
IWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
|
Bancada de Química Humeda para Litografía |
|
IWater, Water Wier, Spinner de secado, baño térmico, hot plates |
|
- |
|
Procesos de limpieza y ataque de materiales mediante Acidos |
|
Reactive Ion Etcher para Metales y otros materiales (RIE) |
|
CF4, Ar, O2, N2, CHF3, H2 |
|
- |
|
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
|
Reactive Ion Etcher para Metales y otros materiales (RIE) |
|
CF4, Ar, O2, N2, CHF3, H2 |
|
- |
|
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
|
Inductively Couple Plasma Reactive Ion Etcher CRYO para Si, SiOx |
|
Sf6, CF4, O2, N2, CHF3, H2, He, Ar, |
|
- |
|
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
|
Inductively Couple Plasma Reactive Ion Etcher CRYO para Si, SiOx |
|
Sf6, CF4, O2, N2, CHF3, H2, He, Ar, |
|
- |
|
Procesos de ataque mediante plasma haces de iones reactivos |
|
Plasma |
|
O2, N2, CF4 |
|
- |
|
Limpieza de superficies |
|
Plasma |
|
O2, N2, CF4 |
|
- |
|
Limpieza de superficies |
|
SEM |
|
desde 1nm hasta 1mm |
|
- |
|
Microscopía electrónica |
|
SEM |
|
desde 1nm hasta 1mm |
|
- |
|
Microscopía electrónica |
|
Litografía por haces de iones focalizados FIB |
|
1nm hasta 100micras |
|
- |
|
Litografía por haces de iones focalizados Si, SiOx, metales |
|
Litografía por haces de iones focalizados FIB |
|
1nm hasta 100micras |
|
- |
|
Litografía por haces de iones focalizados Si, SiOx, metales |
|
Litografía e-BEAM |
|
10nm hasta 1 micra |
|
- |
|
Litografía electrónica |
|
Litografía e-BEAM |
|
10nm hasta 1 micra |
|
- |
|
Litografía electrónica |
|
Litgrafía Nanoimprint |
|
10nm hasta 100micras |
|
- |
|
Litografía por estampación térmica |
|
Litgrafía Nanoimprint |
|
10nm hasta 100micras |
|
- |
|
Litografía por estampación térmica |
|
Atomic Layer Deposition (ALD) |
|
Desde 1A hasta 100nm |
|
- |
|
Preparación de películas delgadas de múltiples materiales. |
|
Atomic Layer Deposition (ALD) |
|
Desde 1A hasta 100nm |
|
- |
|
Preparación de películas delgadas de múltiples materiales. |
|
Evaporador de Metales |
|
Au, Cr, Ni, Al, Pt, Cr, Pd, Co, |
|
- |
|
Preparación de películas de hasta 100nm de espesor |
|
Evaporador de Metales |
|
Au, Cr, Ni, Al, Pt, Cr, Pd, Co, |
|
- |
|
Preparación de películas de hasta 100nm de espesor |