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Red de Laboratorios e infraestructuras

285 - Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología


OPI: UPM
Centro: E.T.S.I. Telecomunicación
Departamento:
Contacto: José Luis Prieto Martin
Dirección: Ciudad Universitaria, Edificio López Araujo
Código Postal: 28040
Localidad: Madrid
Teléfono: 915495700 Ext.2004
Fax:
e-mail: joseluis.prieto@upm.es
web: www.isom.upm.es
Categoría: Aseguramiento Interno
Información adicional: El Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) es un instituto universitario de investigación adscrito a la Universidad Politécnica de Madrid (UPM), creado el 16 de marzo del año 2000 (BOCM del 28-03-2000) a una propuesta inicial de varios grupos de investigación pertenecientes a los Departamentos de Ingeniería Electrónica, Tecnología Fotónica, Física Aplicada a las Tecnologías de la Información y Física Aplicada a la Arquitectura, el Urbanismo y el Medio Ambiente. El ISOM tiene sus instalaciones en la planta baja del edificio López Araujo de la Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación de la UPM. Consta de 400 m2 de salas limpias, de 300 m2 de laboratorios de caracterización con aire acondicionado centralizado, y 200 m2 de laboratorios de instrumentación y electrónica. Las instalaciones incluyen una sala para Cooperación Industrial y Transferencia Tecnológica, y una oficina para la gestión de Servicios al Exterior. En el ISOM trabaja un conjunto de 30 investigadores, 1 ingeniero de la Central de Tecnología, 4 técnicos, 1 administrativo y un técnico informático administrativo. Se trata así de un grupo con suficiente masa crítica, cuya labor investigadora se ha venido consolidando durante los últimos años. En particular, los grupos que lo forman han participado en numerosos proyectos de investigación financiados por la Unión Europea durante más de 10 años.

Datos Ensayos
Tipo
Producto
Nombre
Método
Físicos Compuestos de silicio Caracterización AFM Microscopía de Fuerzas Atómicas
Físicos Compuestos de silicio Caracterización EDX en SEM Espectroscopia de Rayos X emitidos
Físicos Compuestos de silicio Espectro de difraccion de rayos X Difraccion de R-X
Físicos Compuestos de silicio Medida de emisión espectral luminiscente (desde 200 nm a 2.5 micras) Espectrometria óptica
Físicos Compuestos de silicio Medida de Fotoluminiscencia (IR-VIS-UV), en el rango 10-300K Fotoluminiscencia
Físicos Compuestos de silicio Medida de FTIRS (600 nm-20 micras) Espectroscopia por transformada de Fourier
Eléctricos Compuestos de silicio Medida de I-V y C-V, temperatura ambiente, dependencia con la temperatura y con la frecuencia Estacion de puntas
Eléctricos Compuestos de silicio Medida de propiedades de transporte por efecto Hall, variable con la temperatura (15-300K) Efecto Hall
Físicos Compuestos de silicio Medida de responsividad espectral de detectores (desde 12 micras a 200 nm) Respuesta espectral
Físicos Compuestos de silicio Medidas de espesores de láminas y perfil mediante Dek-Tak Desplazamiento por contacto

Datos Equipos
Nombre
Rango
Incer
Observaciones
Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) PaNalytical Xpert Pro MRD, paso minimo 0,0001ª,0,36 arcosecc -
Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) PaNalytical Xpert Pro MRD, paso minimo 0,0001ª,0,36 arcosecc -
Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX 10nm.,30kV. -
Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX 10nm.,30kV. -
Microscopio de fuerzas atómicas (AFM) horizontal:1nm.-125um.; vertical: 1Armstrong-5um. -
Microscopio de fuerzas atómicas (AFM) horizontal:1nm.-125um.; vertical: 1Armstrong-5um. -
Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) 10nm.,50kV. -
Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) 10nm.,50kV. -
Sistema de caracterización por efecto Hall Temperaturas: 10-300ªK. ; Campo Magnético: 2,08 Tesla a 4 cm. -
Sistema de caracterización por efecto Hall Temperaturas: 10-300ªK. ; Campo Magnético: 2,08 Tesla a 4 cm. -
Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF 10ªK. a 650ªK.; RF hasta 20GHz. -
Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF 10ªK. a 650ªK.; RF hasta 20GHz. -
Caracterización de dispositivos fotónicos Longitud de onda:1260nm. a 1360 nm.; Potencia óptica: 10nW. a 3 mW. - Para dispositivos fotónicos basados en materiales transparentes en el rango infrarrojo de telecomunicacio0nes y potencias bajas de trabajo
Caracterización de dispositivos fotónicos Longitud de onda:1260nm. a 1360 nm.; Potencia óptica: 10nW. a 3 mW. - Para dispositivos fotónicos basados en materiales transparentes en el rango infrarrojo de telecomunicacio0nes y potencias bajas de trabajo
Sistemas de caracterización óptica de detectores -
Sistemas de caracterización óptica de detectores -
Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio) -
Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio) -
Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM) Campo Máximo 1,45 Tesla; Sensibilidad 5 uEmu. - Medidas en temperaturas desde 77K hasta 1273K
Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM) Campo Máximo 1,45 Tesla; Sensibilidad 5 uEmu. - Medidas en temperaturas desde 77K hasta 1273K
Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes) -
Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes) -
Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR IR: 600 nm. a 2 um. -
Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR IR: 600 nm. a 2 um. -
Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) 600nm a 25um. -
Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) 600nm a 25um. -
Microscopio óptico Nomarski de alta resolución Resolucion hasta 1 um. -
Microscopio óptico Nomarski de alta resolución Resolucion hasta 1 um. -
Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos -
Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos -
Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T desde 25ªC a 400ªC. -
Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T desde 25ªC a 400ªC. -
Sistema de caracterización eléctrica automatizadas de transistores y dispositivos hasta 1GHz -
Sistema de caracterización eléctrica automatizadas de transistores y dispositivos hasta 1GHz -
Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) PaNalytical Xpert Pro MRD, paso minimo 0,0001ª,0,36 arcosecc -
Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) PaNalytical Xpert Pro MRD, paso minimo 0,0001ª,0,36 arcosecc -
Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX 10nm.,30kV. -
Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX 10nm.,30kV. -
Microscopio de fuerzas atómicas (AFM) horizontal:1nm.-125um.; vertical: 1Armstrong-5um. -
Microscopio de fuerzas atómicas (AFM) horizontal:1nm.-125um.; vertical: 1Armstrong-5um. -
Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) 10nm.,50kV. -
Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) 10nm.,50kV. -
Sistema de caracterización por efecto Hall Temperaturas: 10-300ªK. ; Campo Magnético: 2,08 Tesla a 4 cm. -
Sistema de caracterización por efecto Hall Temperaturas: 10-300ªK. ; Campo Magnético: 2,08 Tesla a 4 cm. -
Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF 10ªK. a 650ªK.; RF hasta 20GHz. -
Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF 10ªK. a 650ªK.; RF hasta 20GHz. -
Caracterización de dispositivos fotónicos Longitud de onda:1260nm. a 1360 nm.; Potencia óptica: 10nW. a 3 mW. - Para dispositivos fotónicos basados en materiales transparentes en el rango infrarrojo de telecomunicacio0nes y potencias bajas de trabajo
Caracterización de dispositivos fotónicos Longitud de onda:1260nm. a 1360 nm.; Potencia óptica: 10nW. a 3 mW. - Para dispositivos fotónicos basados en materiales transparentes en el rango infrarrojo de telecomunicacio0nes y potencias bajas de trabajo
Sistemas de caracterización óptica de detectores -
Sistemas de caracterización óptica de detectores -
Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio) -
Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio) -
Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM) Campo Máximo 1,45 Tesla; Sensibilidad 5 uEmu. - Medidas en temperaturas desde 77K hasta 1273K
Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM) Campo Máximo 1,45 Tesla; Sensibilidad 5 uEmu. - Medidas en temperaturas desde 77K hasta 1273K
Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes) -
Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes) -
Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR IR: 600 nm. a 2 um. -
Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR IR: 600 nm. a 2 um. -
Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) 600nm a 25um. -
Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) 600nm a 25um. -
Microscopio óptico Nomarski de alta resolución Resolucion hasta 1 um. -
Microscopio óptico Nomarski de alta resolución Resolucion hasta 1 um. -
Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos -
Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos -
Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T desde 25ªC a 400ªC. -
Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T desde 25ªC a 400ªC. -
Sistema de caracterización eléctrica automatizadas de transistores y dispositivos hasta 1GHz -
Sistema de caracterización eléctrica automatizadas de transistores y dispositivos hasta 1GHz -

Códigos Cnae
Código
Descripción
64.2 Telecomunicaciones
64.2 Telecomunicaciones
64.2 Telecomunicaciones
64.2 Telecomunicaciones

Áreas Científicas
Código
Descripción
D- Tenologías de Información y Telecomunicación
D- Tenologías de Información y Telecomunicación
D-23 Microelectrónica
D-23 Microelectrónica
D-27 Optoelectrónica
D-27 Optoelectrónica
E- Materiales, Tecnologías de Fabricación
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D- Tenologías de Información y Telecomunicación
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D-23 Microelectrónica
D-23 Microelectrónica
D-27 Optoelectrónica
D-27 Optoelectrónica
E- Materiales, Tecnologías de Fabricación
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