OPI: |
UPM |
Centro: |
E.T.S.I. Telecomunicación |
Departamento: |
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Contacto: |
José Luis Prieto Martin |
Dirección: |
Ciudad Universitaria, Edificio López Araujo |
Código Postal: |
28040 |
Localidad: |
Madrid |
Teléfono: |
915495700 Ext.2004 |
Fax: |
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e-mail: |
joseluis.prieto@upm.es |
web: |
www.isom.upm.es |
Categoría: |
Aseguramiento Interno
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Información adicional: |
El Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) es un instituto universitario de investigación adscrito a la Universidad Politécnica de Madrid (UPM), creado el 16 de marzo del año 2000 (BOCM del 28-03-2000) a una propuesta inicial de varios grupos de investigación pertenecientes a los Departamentos de Ingeniería Electrónica, Tecnología Fotónica, Física Aplicada a las Tecnologías de la Información y Física Aplicada a la Arquitectura, el Urbanismo y el Medio Ambiente.
El ISOM tiene sus instalaciones en la planta baja del edificio López Araujo de la Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación de la UPM. Consta de 400 m2 de salas limpias, de 300 m2 de laboratorios de caracterización con aire acondicionado centralizado, y 200 m2 de laboratorios de instrumentación y electrónica. Las instalaciones incluyen una sala para Cooperación Industrial y Transferencia Tecnológica, y una oficina para la gestión de Servicios al Exterior. En el ISOM trabaja un conjunto de 30 investigadores, 1 ingeniero de la Central de Tecnología, 4 técnicos, 1 administrativo y un técnico informático administrativo. Se trata así de un grupo con suficiente masa crítica, cuya labor investigadora se ha venido consolidando durante los últimos años. En particular, los grupos que lo forman han participado en numerosos proyectos de investigación financiados por la Unión Europea durante más de 10 años. |
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Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) |
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PaNalytical Xpert Pro MRD, paso minimo 0,0001ª,0,36 arcosecc |
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Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX |
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10nm.,30kV. |
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Microscopio de fuerzas atómicas (AFM) |
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horizontal:1nm.-125um.; vertical: 1Armstrong-5um. |
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Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) |
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10nm.,50kV. |
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Sistema de caracterización por efecto Hall |
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Temperaturas: 10-300ªK. ; Campo Magnético: 2,08 Tesla a 4 cm. |
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Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF |
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10ªK. a 650ªK.; RF hasta 20GHz. |
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Caracterización de dispositivos fotónicos |
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Longitud de onda:1260nm. a 1360 nm.; Potencia óptica: 10nW. a 3 mW. |
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Para dispositivos fotónicos basados en materiales transparentes en el rango infrarrojo de telecomunicacio0nes y potencias bajas de trabajo |
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Sistemas de caracterización óptica de detectores |
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Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio) |
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Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM) |
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Campo Máximo 1,45 Tesla; Sensibilidad 5 uEmu. |
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Medidas en temperaturas desde 77K hasta 1273K |
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Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes) |
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Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR |
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IR: 600 nm. a 2 um. |
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Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) |
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600nm a 25um. |
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Microscopio óptico Nomarski de alta resolución |
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Resolucion hasta 1 um. |
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Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos |
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Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T |
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desde 25ªC a 400ªC. |
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Sistema de caracterización eléctrica automatizadas de transistores y dispositivos hasta 1GHz |
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