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Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) |
|
PaNalytical Xpert Pro MRD, paso minimo 0,0001ª,0,36 arcosecc |
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- |
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Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) |
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PaNalytical Xpert Pro MRD, paso minimo 0,0001ª,0,36 arcosecc |
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Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX |
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10nm.,30kV. |
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Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX |
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10nm.,30kV. |
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Microscopio de fuerzas atómicas (AFM) |
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horizontal:1nm.-125um.; vertical: 1Armstrong-5um. |
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Microscopio de fuerzas atómicas (AFM) |
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horizontal:1nm.-125um.; vertical: 1Armstrong-5um. |
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Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) |
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10nm.,50kV. |
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Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) |
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10nm.,50kV. |
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Sistema de caracterización por efecto Hall |
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Temperaturas: 10-300ªK. ; Campo Magnético: 2,08 Tesla a 4 cm. |
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Sistema de caracterización por efecto Hall |
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Temperaturas: 10-300ªK. ; Campo Magnético: 2,08 Tesla a 4 cm. |
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|
Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF |
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10ªK. a 650ªK.; RF hasta 20GHz. |
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Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF |
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10ªK. a 650ªK.; RF hasta 20GHz. |
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Caracterización de dispositivos fotónicos |
|
Longitud de onda:1260nm. a 1360 nm.; Potencia óptica: 10nW. a 3 mW. |
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Para dispositivos fotónicos basados en materiales transparentes en el rango infrarrojo de telecomunicacio0nes y potencias bajas de trabajo |
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Caracterización de dispositivos fotónicos |
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Longitud de onda:1260nm. a 1360 nm.; Potencia óptica: 10nW. a 3 mW. |
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Para dispositivos fotónicos basados en materiales transparentes en el rango infrarrojo de telecomunicacio0nes y potencias bajas de trabajo |
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Sistemas de caracterización óptica de detectores |
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Sistemas de caracterización óptica de detectores |
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Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio) |
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Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio) |
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Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM) |
|
Campo Máximo 1,45 Tesla; Sensibilidad 5 uEmu. |
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Medidas en temperaturas desde 77K hasta 1273K |
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Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM) |
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Campo Máximo 1,45 Tesla; Sensibilidad 5 uEmu. |
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Medidas en temperaturas desde 77K hasta 1273K |
|
Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes) |
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- |
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Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes) |
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Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR |
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IR: 600 nm. a 2 um. |
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Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR |
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IR: 600 nm. a 2 um. |
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Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) |
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600nm a 25um. |
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Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) |
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600nm a 25um. |
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Microscopio óptico Nomarski de alta resolución |
|
Resolucion hasta 1 um. |
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- |
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Microscopio óptico Nomarski de alta resolución |
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Resolucion hasta 1 um. |
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|
Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos |
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Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos |
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|
Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T |
|
desde 25ªC a 400ªC. |
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Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T |
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desde 25ªC a 400ªC. |
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|
Sistema de caracterización eléctrica automatizadas de transistores y dispositivos hasta 1GHz |
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- |
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Sistema de caracterización eléctrica automatizadas de transistores y dispositivos hasta 1GHz |
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Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) |
|
PaNalytical Xpert Pro MRD, paso minimo 0,0001ª,0,36 arcosecc |
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Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) |
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PaNalytical Xpert Pro MRD, paso minimo 0,0001ª,0,36 arcosecc |
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|
Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX |
|
10nm.,30kV. |
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- |
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Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX |
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10nm.,30kV. |
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|
Microscopio de fuerzas atómicas (AFM) |
|
horizontal:1nm.-125um.; vertical: 1Armstrong-5um. |
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- |
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Microscopio de fuerzas atómicas (AFM) |
|
horizontal:1nm.-125um.; vertical: 1Armstrong-5um. |
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Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) |
|
10nm.,50kV. |
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Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) |
|
10nm.,50kV. |
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|
Sistema de caracterización por efecto Hall |
|
Temperaturas: 10-300ªK. ; Campo Magnético: 2,08 Tesla a 4 cm. |
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Sistema de caracterización por efecto Hall |
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Temperaturas: 10-300ªK. ; Campo Magnético: 2,08 Tesla a 4 cm. |
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|
Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF |
|
10ªK. a 650ªK.; RF hasta 20GHz. |
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Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF |
|
10ªK. a 650ªK.; RF hasta 20GHz. |
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Caracterización de dispositivos fotónicos |
|
Longitud de onda:1260nm. a 1360 nm.; Potencia óptica: 10nW. a 3 mW. |
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Para dispositivos fotónicos basados en materiales transparentes en el rango infrarrojo de telecomunicacio0nes y potencias bajas de trabajo |
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Caracterización de dispositivos fotónicos |
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Longitud de onda:1260nm. a 1360 nm.; Potencia óptica: 10nW. a 3 mW. |
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Para dispositivos fotónicos basados en materiales transparentes en el rango infrarrojo de telecomunicacio0nes y potencias bajas de trabajo |
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Sistemas de caracterización óptica de detectores |
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|
Sistemas de caracterización óptica de detectores |
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Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio) |
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Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio) |
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Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM) |
|
Campo Máximo 1,45 Tesla; Sensibilidad 5 uEmu. |
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Medidas en temperaturas desde 77K hasta 1273K |
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Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM) |
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Campo Máximo 1,45 Tesla; Sensibilidad 5 uEmu. |
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Medidas en temperaturas desde 77K hasta 1273K |
|
Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes) |
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|
Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes) |
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|
Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR |
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IR: 600 nm. a 2 um. |
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Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR |
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IR: 600 nm. a 2 um. |
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Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) |
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600nm a 25um. |
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Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) |
|
600nm a 25um. |
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Microscopio óptico Nomarski de alta resolución |
|
Resolucion hasta 1 um. |
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Microscopio óptico Nomarski de alta resolución |
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Resolucion hasta 1 um. |
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Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos |
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Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos |
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|
Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T |
|
desde 25ªC a 400ªC. |
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Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T |
|
desde 25ªC a 400ªC. |
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Sistema de caracterización eléctrica automatizadas de transistores y dispositivos hasta 1GHz |
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Sistema de caracterización eléctrica automatizadas de transistores y dispositivos hasta 1GHz |
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