|
Microscopio electrónico de barrido (SEM) FEI Verios 460 |
|
|
|
- |
|
Caracterización de todo tipo de materiales, morfológica y composicional |
|
Microscopio electrónico de barrido (SEM) FEI Verios 460 |
|
|
|
- |
|
Caracterización de todo tipo de materiales, morfológica y composicional |
|
Litografía por haz de electrones (EBL) |
|
|
|
- |
|
Resolución típica 50 nm, con generador de patrones Elphy-Plus (Raith GmbH) |
|
Litografía por haz de electrones (EBL) |
|
|
|
- |
|
Resolución típica 50 nm, con generador de patrones Elphy-Plus (Raith GmbH) |
|
Litografía por ataque de haz de iones de ultra alta resolución (FIB) |
|
|
|
- |
|
Resoluciones típicas de 15 nm, con iones de GA y energías de haz de 30 KeVs. Portamuestra especial para fabricación de estructuras 3D |
|
Litografía por ataque de haz de iones de ultra alta resolución (FIB) |
|
|
|
- |
|
Resoluciones típicas de 15 nm, con iones de GA y energías de haz de 30 KeVs. Portamuestra especial para fabricación de estructuras 3D |
|
Equipo de ataque de iones reactivos (RIE) PlasmaLab 80Plus ( Oxford Instruments |
|
|
|
- |
|
Líneas de gases como SF6, CHF3, Cl2, BCl3, NH3, CO, CH4, H2, O2, N2, Ar para atacar todo tipo de materiales ( consutor, semiconductor y aislantes). Resolución típica: 0,8 micras |
|
Equipo de ataque de iones reactivos (RIE) PlasmaLab 80Plus ( Oxford Instruments |
|
|
|
- |
|
Líneas de gases como SF6, CHF3, Cl2, BCl3, NH3, CO, CH4, H2, O2, N2, Ar para atacar todo tipo de materiales ( consutor, semiconductor y aislantes). Resolución típica: 0,8 micras |
|
Equipo de evaporación de metales por haz de electrones |
|
|
|
- |
|
Se pueden depositar muy diversos metales como el Au,Cr, Pt, Ti, Ni y otros según las necesidades del servicio |
|
Equipo de evaporación de metales por haz de electrones |
|
|
|
- |
|
Se pueden depositar muy diversos metales como el Au,Cr, Pt, Ti, Ni y otros según las necesidades del servicio |
|
Deposición de materiales dieléctricos asistida por plasma (PECVD) |
|
|
|
- |
|
Oxidos de Si y Nitruros de Si |
|
Deposición de materiales dieléctricos asistida por plasma (PECVD) |
|
|
|
- |
|
Oxidos de Si y Nitruros de Si |
|
Alineadora de fotolitografía ultravioleta MA6-Karl Suss (UV400) |
|
|
|
- |
|
Resoluciones hasta 500nm con risnas positivas y negativas |
|
Alineadora de fotolitografía ultravioleta MA6-Karl Suss (UV400) |
|
|
|
- |
|
Resoluciones hasta 500nm con risnas positivas y negativas |
|
Microscopio de Fuerzas atómicas (AFM) |
|
|
|
- |
|
Caracterización de la superficie de diferentes tipos de materiales con resolución nanométrica |
|
Microscopio de Fuerzas atómicas (AFM) |
|
|
|
- |
|
Caracterización de la superficie de diferentes tipos de materiales con resolución nanométrica |
|
Microscopio electrónico de barrido (SEM) FEI Verios 460 |
|
|
|
- |
|
Caracterización de todo tipo de materiales, morfológica y composicional |
|
Microscopio electrónico de barrido (SEM) FEI Verios 460 |
|
|
|
- |
|
Caracterización de todo tipo de materiales, morfológica y composicional |
|
Litografía por haz de electrones (EBL) |
|
|
|
- |
|
Resolución típica 50 nm, con generador de patrones Elphy-Plus (Raith GmbH) |
|
Litografía por haz de electrones (EBL) |
|
|
|
- |
|
Resolución típica 50 nm, con generador de patrones Elphy-Plus (Raith GmbH) |
|
Litografía por ataque de haz de iones de ultra alta resolución (FIB) |
|
|
|
- |
|
Resoluciones típicas de 15 nm, con iones de GA y energías de haz de 30 KeVs. Portamuestra especial para fabricación de estructuras 3D |
|
Litografía por ataque de haz de iones de ultra alta resolución (FIB) |
|
|
|
- |
|
Resoluciones típicas de 15 nm, con iones de GA y energías de haz de 30 KeVs. Portamuestra especial para fabricación de estructuras 3D |
|
Equipo de ataque de iones reactivos (RIE) PlasmaLab 80Plus ( Oxford Instruments |
|
|
|
- |
|
Líneas de gases como SF6, CHF3, Cl2, BCl3, NH3, CO, CH4, H2, O2, N2, Ar para atacar todo tipo de materiales ( consutor, semiconductor y aislantes). Resolución típica: 0,8 micras |
|
Equipo de ataque de iones reactivos (RIE) PlasmaLab 80Plus ( Oxford Instruments |
|
|
|
- |
|
Líneas de gases como SF6, CHF3, Cl2, BCl3, NH3, CO, CH4, H2, O2, N2, Ar para atacar todo tipo de materiales ( consutor, semiconductor y aislantes). Resolución típica: 0,8 micras |
|
Equipo de evaporación de metales por haz de electrones |
|
|
|
- |
|
Se pueden depositar muy diversos metales como el Au,Cr, Pt, Ti, Ni y otros según las necesidades del servicio |
|
Equipo de evaporación de metales por haz de electrones |
|
|
|
- |
|
Se pueden depositar muy diversos metales como el Au,Cr, Pt, Ti, Ni y otros según las necesidades del servicio |
|
Deposición de materiales dieléctricos asistida por plasma (PECVD) |
|
|
|
- |
|
Oxidos de Si y Nitruros de Si |
|
Deposición de materiales dieléctricos asistida por plasma (PECVD) |
|
|
|
- |
|
Oxidos de Si y Nitruros de Si |
|
Alineadora de fotolitografía ultravioleta MA6-Karl Suss (UV400) |
|
|
|
- |
|
Resoluciones hasta 500nm con risnas positivas y negativas |
|
Alineadora de fotolitografía ultravioleta MA6-Karl Suss (UV400) |
|
|
|
- |
|
Resoluciones hasta 500nm con risnas positivas y negativas |
|
Microscopio de Fuerzas atómicas (AFM) |
|
|
|
- |
|
Caracterización de la superficie de diferentes tipos de materiales con resolución nanométrica |
|
Microscopio de Fuerzas atómicas (AFM) |
|
|
|
- |
|
Caracterización de la superficie de diferentes tipos de materiales con resolución nanométrica |